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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利晶片倒角加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120791524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511270343.4，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权晶片倒角加工方法是由李永超;郑向光;刘凯辉;李青璇设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片倒角加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶片倒角加工方法，属于晶片加工技术领域，包括以下步骤：S1、安装定位；S2、一次倒角：将待加工晶片沿Z轴上移至第一工作位，然后沿X轴水平推进，利用砂轮的第一加工部的上侧端面在待加工晶片的上端边缘加工出第一倾斜面；S3、二次倒角：将待加工晶片沿Z轴下移至第二工作位，利用砂轮的第一加工部的下侧端面在待加工晶片的下端边缘加工出第二倾斜面；S4、端部倒角：将具有第一倾斜面和第二倾斜面的晶片半成品归位，完成晶片倒角。本发明提供的晶片倒角加工方法，晶片的直角边磨削完成后，再进行端部倒角加工，提高了砂轮的使用寿命、提升了良品率。

本发明授权晶片倒角加工方法在权利要求书中公布了：1.晶片倒角加工方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、安装定位：将待加工晶片和砂轮均安装在倒角机上，使待加工晶片和砂轮沟槽完成对中定位，砂轮沟槽包括位于开口侧的第一加工部和位于槽底的第二加工部； S2、一次倒角：将待加工晶片沿Z轴上移至第一工作位，然后沿X轴水平推进，利用砂轮的第一加工部的上侧端面在待加工晶片的上端边缘加工出第一倾斜面； S3、二次倒角：将待加工晶片沿Z轴下移至第二工作位，然后沿X轴水平推进，利用砂轮的第一加工部的下侧端面在待加工晶片的下端边缘加工出第二倾斜面； 步骤S2和S3的顺序可调，形成晶片半成品； S4、端部倒角：将具有第一倾斜面和第二倾斜面的晶片半成品归位，然后沿X轴水平推进，利用砂轮的第二加工部磨削晶片半成品的端部、第一倾斜面和第二倾斜面，完成晶片倒角； 第一加工部和第二加工部沿砂轮沟槽的深度方向依次分布，且砂轮沟槽的深度为待加工晶片的待加工长度值的1倍-2倍； 待加工晶片的待加工长度值包括晶片倒角长度值和晶片磨削长度值； 步骤S2、S3及S4在X轴方向上的推进总量大于待加工长度值且小于沟槽深度与晶片倒角长度的差值。

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