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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511446827.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体激光器是由阚宏柱;郑锦坚;孙海定;寻飞林;邓和清;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;钟志白;杨力勋;蓝家彬;胡志勇;李晓琴;张会康;张江勇设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，在半导体激光器的下波导层与有源层之间设置纳米级预应变调控层以及在有源层内部设置多个原子级应变调控层，能够调控有源层的量子阱层和垒层间的失配应力以及量子阱与上波导层、量子阱与下波导层的失配应力，增加激光器有源层的慢轴方向的激光激射宽度，增大激光器的慢轴发散角，提升慢轴角度；同时，还可抑制有源层应变极化产生的快轴衬底模式泄漏。

本发明授权一种半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述下波导层和有源层之间设置有纳米级预应变调控层，所述有源层包括第一量子阱和第二量子阱，所述第一量子阱位于所述第二量子阱上方，所述第一量子阱包括从上至下依次设置的第一垒层、第一原子级应变调控层、第一阱层和第二原子级应变调控层，所述第二量子阱包括从上至下依次设置的第二垒层、第三原子级应变调控层、第二阱层、第四原子级应变调控层和第三垒层，所述纳米级预应变调控层的厚度及应变调控精度为纳米尺度，所述第一原子级应变调控层、第二原子级应变调控层、第三原子级应变调控层和第四原子级应变调控层的厚度及应变调控精度为原子尺度； 所述半导体激光器为半导体绿光激光器或超长波绿光激光器； 所述半导体激光器为半导体绿光激光器时，所述第一原子级应变调控层的铟元素上升角度为α，所述第二原子级应变调控层的铟元素下降角度为β，所述第三原子级应变调控层的铟元素上升角度为γ，所述第四原子级应变调控层的铟元素下降角度为θ，其中：30°≤θ≤α≤β≤γ≤85°； 所述半导体激光器为超长波绿光激光器时，所述第一原子级应变调控层的铟元素上升角度为ρ，所述第二原子级应变调控层的铟元素下降角度为δ，所述第三原子级应变调控层的铟元素上升角度为ψ，所述第四原子级应变调控层的铟元素下降角度为φ，其中：15°≤ρ≤δ≤ψ≤φ≤75°。

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