中微半导体设备(上海)股份有限公司陶珩获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体工艺平台获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223660196U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423296470.5，技术领域涉及：C23C14/56；该实用新型一种半导体工艺平台是由陶珩;何伟业;许灿;王能语;杨闰清;吴红星;廖腊财;桑成松;刘学滨;陈冬;刘青;刘雯伊设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体工艺平台在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体工艺平台，包含：前端模块，其处于大气环境；第一级真空传输腔和第二级真空传输腔，第一级真空传输腔连接设置在第二级真空传输腔与前端模块之间；第一级真空传输腔、第二级真空传输腔的侧壁均包括多个接口，接口可以连接反应腔，第二级真空传输腔的接口数量大于或等于8；两个传输腔抽真空装置，分别连接第一级真空传输腔和第二级真空传输腔。本实用新型的优点包括：占地面积小，增加了半导体工艺平台所能够进行工艺的种类，并能为时长较久的工艺配置多个反应腔，提高衬底加工效率。第二级真空传输腔可在第一级真空传输腔的基础上，达到更高的真空度，提高了衬底加工的质量。
本实用新型一种半导体工艺平台在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺平台，其特征在于，包含： 前端模块，其处于大气环境； 第一级真空传输腔和第二级真空传输腔，所述第一级真空传输腔连接设置在所述第二级真空传输腔与所述前端模块之间；所述第一级真空传输腔、第二级真空传输腔的侧壁均包括多个接口，所述接口可以连接反应腔；所述第二级真空传输腔的接口数量大于或等于8； 两个传输腔抽真空装置，分别连接所述第一级真空传输腔和所述第二级真空传输腔。
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