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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利进气结构和半导体工艺设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223660204U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423121266.X，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型进气结构和半导体工艺设备是由李晓婷;陈敬永;陈二庆;王超;周策设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本进气结构和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种进气结构和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，进气结构设置于半导体腔室的顶部，以与半导体腔室的侧壁形成反应空间，进气结构与反应空间内的承载座相对设置，进气结构用于向承载座喷射工艺气体，进气结构包括：腔室盖板、中心进气件和边缘进气件；中心进气件位于腔室盖板的中心区域，其包括第一进气腔、分别与第一进气腔连通的第一进气孔和多个第一出气孔，各第一出气孔均与反应空间连通；边缘进气件包括环形的第二进气腔、分别与第二进气腔连通的第二进气孔和多个第二出气孔，第二进气腔环绕中心进气件设置，各第二出气孔均与反应空间连通。该方案能够解决目前在加工晶圆的工艺过程中工艺气体分布的均匀性较差的问题。

本实用新型进气结构和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种进气结构，所述进气结构100设置于半导体腔室200的顶部，以与所述半导体腔室200的侧壁形成反应空间，所述反应空间内设有承载座300，所述进气结构100与所述承载座300相对设置，其特征在于，所述进气结构100用于向所述承载座300喷射工艺气体，所述进气结构100包括：腔室盖板110、中心进气件120和边缘进气件130；其中， 所述中心进气件120位于所述腔室盖板110的中心区域，且贯穿所述腔室盖板110，所述中心进气件120包括：第一进气腔121、分别与所述第一进气腔121连通的第一进气孔122和多个第一出气孔123，各所述第一出气孔123均与所述反应空间连通； 所述边缘进气件130包括环形的第二进气腔131、分别与所述第二进气腔131连通的第二进气孔132和多个第二出气孔133，所述第二进气腔131内嵌于所述腔室盖板110中，且环绕所述中心进气件120设置，各所述第二出气孔133均与所述反应空间连通。

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