上海积塔半导体有限公司曹雪婷获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223660205U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520125187.1，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型沉积设备是由曹雪婷;李刚;归剑;庞洪荣;黄平;董晶设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种沉积设备。沉积设备包括进气环、底壳和上盖，进气环包括进气环主体、多组进气嘴组和调节阀，进气环主体具有彼此独立的第一进气通道以及第二进气通道，多组进气嘴组沿进气环主体的周向间隔布设于进气环主体上；每一进气嘴组包括与第一进气通道相连通的至少一第一进气嘴，以及与第二进气通道相连通的至少一第二进气嘴；每一第二进气嘴上设有调节阀。上盖上设有进气环，上盖盖设于底壳，且与底壳围设出分别与第一进气嘴和第二进气嘴相连通的沉积腔。可根据晶圆的成膜均匀度需求对多组进气嘴组的第二进气嘴上的调节阀进行对应调节，进而可利用该进气环提高晶圆的成膜均匀度。
本实用新型沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种沉积设备，其特征在于，包括： 进气环，包括： 进气环主体，具有彼此独立的第一进气通道以及第二进气通道； 多组进气嘴组，沿所述进气环主体的周向间隔布设于所述进气环主体上；每一所述进气嘴组包括与所述第一进气通道相连通的至少一第一进气嘴，以及与所述第二进气通道相连通的至少一第二进气嘴；及 调节阀，每一所述第二进气嘴上设有所述调节阀； 底壳；以及 上盖，所述上盖上设有所述进气环；所述上盖盖设于所述底壳，且与所述底壳围设出分别与所述第一进气嘴和第二进气嘴相连通的沉积腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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