中微半导体设备(广州)有限公司李晓磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(广州)有限公司申请的专利气体喷淋头组件及等离子体处理装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223660210U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423187355.4,技术领域涉及:C23C16/50;该实用新型气体喷淋头组件及等离子体处理装置是由李晓磊;张昭;张凯;李浩楠;张富荣设计研发完成,并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本气体喷淋头组件及等离子体处理装置在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种气体喷淋头组件及等离子体处理装置,气体喷淋头组件设置在等离子体处理装置的反应腔内,包括:背板,位于反应腔内的顶部;气体喷淋头,位于背板的下方;悬挂装置,悬挂装置的第一端连接背板,悬挂装置的第二端连接气体喷淋头;气体喷淋头具有拱形的上表面和下表面,气体喷淋头的上表面的中心区域低于边缘区域,气体喷淋头的下表面的中心区域高于边缘区域且气体喷淋头上表面的中心区域和边缘区域之间的高度差大于气体喷淋头下表面的中心区域和边缘区域之间的高度差;本实用新型的气体喷淋头组件使气体喷淋头的下表面在高温工艺环境下大致与基座的上表面平行,从而保证了气体喷淋头下方的等离子体分布均匀性。
本实用新型气体喷淋头组件及等离子体处理装置在权利要求书中公布了:1.一种气体喷淋头组件,设置在等离子体处理装置的反应腔内,其特征在于,包括: 背板,所述背板位于所述反应腔内的顶部; 气体喷淋头,所述气体喷淋头位于所述背板的下方; 悬挂装置,所述悬挂装置的第一端连接所述背板,所述悬挂装置的第二端连接所述气体喷淋头; 所述气体喷淋头具有拱形的上表面和下表面,所述气体喷淋头的上表面的中心区域低于边缘区域,所述气体喷淋头的下表面的中心区域高于边缘区域;所述气体喷淋头上表面的中心区域和边缘区域之间的高度差大于所述气体喷淋头下表面的中心区域和边缘区域之间的高度差。
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