理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司李朋获国家专利权
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龙图腾网获悉理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利用于PECVD反应腔的射频馈入装置以及PECVD设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223660211U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423144355.6,技术领域涉及:C23C16/505;该实用新型用于PECVD反应腔的射频馈入装置以及PECVD设备是由李朋;欧阳亮;杨飞云设计研发完成,并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于PECVD反应腔的射频馈入装置以及PECVD设备在说明书摘要公布了:本实用新型提供用于PECVD反应腔的射频馈入装置以及PECVD设备。所述用于PECVD反应腔的射频馈入装置从大气侧穿过真空腔壁进入真空侧,并且从内至外依次包括同轴设置的导电芯轴、绝缘层以及屏蔽层,所述PECVD反应腔射频馈入装置还包括设置在屏蔽层外侧的波纹管,所述波纹管的第一端固定在屏蔽层顶端下侧,其第二端从大气侧固定在真空腔壁上。本实用新型能避免高温热膨胀造成的射频馈入装置结构错位以及PECVD反应腔的真空破坏,并避免因外腔压力变化而打火放电。
本实用新型用于PECVD反应腔的射频馈入装置以及PECVD设备在权利要求书中公布了:1.一种用于PECVD反应腔的射频馈入装置,其从大气侧穿过真空腔壁进入真空侧,并且从内至外依次包括同轴设置的导电芯轴、绝缘层以及屏蔽层,其特征在于,所述PECVD反应腔射频馈入装置还包括设置在屏蔽层外侧的波纹管,所述波纹管的第一端固定在屏蔽层顶端下侧,其第二端从大气侧固定在真空腔壁上。
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