迪希埃(北京)半导体技术有限公司;迪希埃(浙江)半导体技术有限公司;埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司楼厦获国家专利权
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龙图腾网获悉迪希埃(北京)半导体技术有限公司;迪希埃(浙江)半导体技术有限公司;埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司申请的专利快门装置及分子束外延设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223660287U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423321702.8，技术领域涉及：C30B25/02；该实用新型快门装置及分子束外延设备是由楼厦;倪健;赵金堂设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本快门装置及分子束外延设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种快门装置及分子束外延设备。包括：挡板，配置为在第一位置和第二位置之间摆动；在挡板处于第一位置的状态下，源炉和薄膜生长区之间的束流喷射轨迹被挡板阻挡，且挡板与束流喷射轨迹倾斜相交，自挡板上任一处形成的自由落体轨迹均在源炉外；在挡板处于第二位置的状态下，源炉和薄膜生长区之间的束流喷射轨迹与挡板不相交，且挡板位于源炉的下方；支架，第一端连接挡板，第二端向远离挡板的方向延伸；支架能做摆动运动，以带动挡板在第一位置和第二位置之间摆动；动力组件，配置为带动支架的摆动，动力组件连接支架的第二端。本申请的技术方案，能减少源炉喷射口的堵塞和提高薄膜生长质量。
本实用新型快门装置及分子束外延设备在权利要求书中公布了：1.一种快门装置，应用于分子束外延设备，所述分子束外延设备包括生长室、源炉、薄膜生长区和所述快门装置，所述薄膜生长区位于所述源炉的斜上方，其特征在于，所述快门装置包括： 挡板，配置为在第一位置和第二位置之间摆动；在所述挡板处于第一位置的状态下，所述源炉和所述薄膜生长区之间的束流喷射轨迹被所述挡板阻挡，且所述挡板与所述束流喷射轨迹倾斜相交，自所述挡板上任一处形成的自由落体轨迹均在源炉外；在所述挡板处于第二位置的状态下，所述源炉和所述薄膜生长区之间的束流喷射轨迹与所述挡板不相交，且所述挡板位于所述源炉的下方； 支架，第一端连接所述挡板，第二端向远离所述挡板的方向延伸；所述支架能做摆动运动，以带动所述挡板在第一位置和第二位置之间摆动； 动力组件，配置为带动所述支架的摆动，所述动力组件连接所述支架的第二端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人迪希埃(北京)半导体技术有限公司;迪希埃(浙江)半导体技术有限公司;埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司，其通讯地址为：100000 北京市朝阳区万红西街2号3号楼1层1001号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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