广州南砂晶圆半导体技术有限公司李晓蒙获国家专利权
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龙图腾网获悉广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请的专利一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223660293U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423323135.X，技术领域涉及：C30B29/36；该实用新型一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置是由李晓蒙;胡国杰;于国建设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置，该碳化硅晶体生长装置包括坩埚本体以及坩埚内设置的多个石墨隔板，且多个石墨隔板在坩埚原料区底部呈等间距设置；石墨隔板间隔插设于碳化硅粉料中，石墨隔板的高度呈等差数列使碳化硅粉料高度同样呈现等差数列，且在沿籽晶小面区域至远离小面区域的方向上石墨隔板以及对应区域碳化硅粉料的高度呈递减分布。在单晶生长过程中，石墨隔板夹层中的碳化硅粉料受热发生升华，位于高度较高的石墨隔板区域内的碳化硅粉料由于其高度优势，碳化硅粉料表面距离籽晶生长面距离减小，使得生长组分在此区域内籽晶表面处形成组分密度优势，有效地促进了晶体中螺位错的转化、移动过程，提高了晶体质量。
本实用新型一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种改善螺旋位错缺陷的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚本体1； 设置在所述坩埚本体1内的多个石墨隔板2，且多个石墨隔板2在所述坩埚本体1的底部等间距设置； 所述石墨隔板2的高度在沿籽晶[000-1]晶面中小面区域至远离小面区域的方向上逐渐降低； 在所述坩埚本体1内由石墨隔板2间隔形成的空间中，用于填充碳化硅粉料，以使所述碳化硅粉料高度在沿籽晶[000-1]晶面中小面区域至远离小面区域的方向上逐渐降低。
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