扬州杰冠微电子有限公司王亚男获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州杰冠微电子有限公司申请的专利一种碳化硅MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223666687U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423299997.3，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种碳化硅MOSFET器件是由王亚男;王正;王毅设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅MOSFET器件在说明书摘要公布了：一种碳化硅MOSFET器件，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的漏极金属层、N+衬底层、N‑漂移层、N‑外延层、PW区、N+区、欧姆接触合金层和源极金属层；所述N‑外延层上设有：NN区，设有一对，间隔设置在所述N‑外延层内；PP区，设置在一对所述NN区之间，底面与NN区底面在同一平面；P+区，从所述N+区顶面向下延伸至PW区内，与所述PW区底面之间设有间距；N‑区，截面呈凵字型结构，从所述N+区顶面向下延伸至PP区顶面，侧部与所述NN区连接；本实用新型有效消除栅极氧化层被电场击穿的可能性，提高器件可靠性。
本实用新型一种碳化硅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的漏极金属层16、N+衬底层1、N-漂移层2、N-外延层5、PW区7、N+区8、欧姆接触合金层14和源极金属层15； 所述N-外延层5上设有： NN区3，设有一对，间隔设置在所述N-外延层5内； PP区4，设置在一对所述NN区3之间，底面与NN区3底面在同一平面； P+区9，从所述N+区8顶面向下延伸至PW区7内； N-区10，截面呈凵字型结构，从所述N+区8顶面向下延伸至PP区4顶面； 栅氧层11，截面呈凵字型结构，沿所述N-区10内侧壁向下延伸； Poly层12，设置在所述栅氧层11内； 所述N+区8、N-区10、栅氧层11和Poly层12顶面设有隔离介质层13。
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