西安迈驰半导体科技有限公司张关保获国家专利权
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龙图腾网获悉西安迈驰半导体科技有限公司申请的专利一种高浪涌双向ESD防护器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223666689U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423270925.6，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种高浪涌双向ESD防护器件是由张关保;王康;张彪;贺健民设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高浪涌双向ESD防护器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及ESD防护器件，具体涉及一种高浪涌双向ESD防护器件，包括P型衬底，以及两个对称分布于P型衬底上下两侧的N+扩区；两个N+扩区分别位于P型衬底的上表面和下表面的中部；所述P型衬底的上表面和下表面上均设有氧化层阻挡层；所述氧化层阻挡层上设有电极，电极贯穿氧化层阻挡层与N+扩区相连。本实用新型具有的优点为：在浪涌流入时，反向结在强电场下耗尽层扩展，由于基区浓度比较淡，耗尽层扩展快，在未达到雪崩击穿的基区宽度时，耗尽层扩展至另一段N+区，形成穿通击穿；由于穿通击穿相较于雪崩效应具有更高的浪涌能力和较低的钳位电压，大幅提升了器件的保护能力。
本实用新型一种高浪涌双向ESD防护器件在权利要求书中公布了：1.一种高浪涌双向ESD防护器件，其特征在于：包括P型衬底1，以及两个对称分布于P型衬底1上下两侧的N+扩区； 两个N+扩区分别位于P型衬底1的上表面和下表面的中部； 所述P型衬底1的上表面和下表面上均设有氧化层阻挡层3； 所述氧化层阻挡层3上设有电极4，电极4贯穿氧化层阻挡层3与N+扩区相连。
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