扬州乾照光电有限公司赵鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种反极性LED结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223666708U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423146589.4，技术领域涉及：H10H20/833；该实用新型一种反极性LED结构是由赵鹏;班国训;李皇;钟秉宪;徐晓刚设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反极性LED结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种反极性LED结构，涉及半导体器件技术领域。反极性LED结构包括：外延结构，外延结构包括沿生长方向依次叠加的N型限制层、有源层、P型限制层和P型GaP窗口层，P型GaP窗口层包括位于P型限制层上的P型基层，及位于P型基层背离P型限制层一侧的P型图案表层；位于P型图案表层背离P型限制层一侧的ITO接触层。将ITO接触层和P型图案表层组合作为LED结构的P面欧姆接触结构，不仅能够提高P面欧姆接触结构的可靠性，还能够有效降低P面欧姆接触结构的吸光情况。并且ITO接触层和P型图案表层形成P面欧姆接触结构时所需的合金时间和合金温度均较低，从而降低了反极性LED结构的制备工艺难度。
本实用新型一种反极性LED结构在权利要求书中公布了：1.一种反极性LED结构，其特征在于，所述反极性LED结构包括： 外延结构，所述外延结构包括沿生长方向依次叠加的N型限制层、有源层、P型限制层和P型GaP窗口层，所述P型GaP窗口层包括位于所述P型限制层上的P型基层，及位于所述P型基层背离所述P型限制层一侧的P型图案表层，其中，所述P型图案表层包括裸露所述P型基层的镂空图案； 位于所述P型图案表层背离所述P型限制层一侧的ITO接触层，所述ITO接触层对应所述镂空图案处为镂空； 位于所述镂空图案且位于所述P型基层背离所述P型限制层一侧的介质膜层，所述介质膜层裸露所述ITO接触层； 位于所述ITO接触层背离所述P型限制层一侧的镜面层； 位于所述镜面层背离所述P型限制层一侧的目标衬底； 以及，位于所述目标衬底背离所述P型限制层一侧的P型电极，和位于所述N型限制层背离所述P型限制层一侧的N型电极。
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