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北京忆恒创源科技有限公司袁戎获国家专利权

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龙图腾网获悉北京忆恒创源科技有限公司申请的专利具有非对称通道的固态存储设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN109783404B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201711275973.6,技术领域涉及:G06F12/1009;该发明授权具有非对称通道的固态存储设备是由袁戎设计研发完成,并于2017-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

具有非对称通道的固态存储设备在说明书摘要公布了:本申请公开了具有非对称通道的固态存储设备。本申请的固态存储设备包括控制部件,控制部件通过多个通道耦合到NVM芯片;每个通道耦合一个或多个NVM芯片,NVM芯片包括一个或多个逻辑单元,多个逻辑单元的每个为大块提供物理块,一个或多个第一通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量大于一个或多个第二通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量。

本发明授权具有非对称通道的固态存储设备在权利要求书中公布了:1.一种固态存储设备,其特征在于,包括控制部件,控制部件通过多个通道耦合到NVM芯片;每个通道耦合一个或多个NVM芯片,NVM芯片包括一个或多个逻辑单元,多个逻辑单元的每个为大块提供物理块, 对于任意大块,一个或多个第一通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量大于一个或多个第二通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量; 第一大块的校验块由第一通道到耦合的NVM芯片提供; 若第一通道为第一大块提供的物理块中,有一个或多个自然产生的坏块,则无须将可用物理块人工标记为坏块; 若第一通道为第一大块提供的物理块中,不存在自然产生的坏块,则将一个或多个可用物理块中人工标记为坏块; 经过标记坏块,使得第一通道物理块中可作为第一大块的数据块的物理块的数量,不大于第二通道中可作为第一大块的数据块的物理块的数量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京忆恒创源科技有限公司,其通讯地址为:100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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