三星显示有限公司阮成进获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利薄膜晶体管基板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111739894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010218825.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜晶体管基板和显示装置是由阮成进;姜美在;李镕守;崔相虔设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管基板和显示装置在说明书摘要公布了：薄膜晶体管基板包括：基板；布置在基板上的第一电极；布置在基板上并且具有相对于基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤；布置在堤上的第二电极；电连接到第一电极和第二电极的有源图案，有源图案被布置在倾斜表面上，并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区；以及与有源图案的沟道区的至少一部分重叠的栅电极。在平面图中，倾斜表面在第一方向上延伸。第一导电区、沟道区和第二导电区沿着与第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在倾斜表面上。本申请还公开了包括上述薄膜晶体管基板的显示装置。
本发明授权薄膜晶体管基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管基板，包括： 基板； 布置在所述基板上的第一电极； 布置在所述基板上并且具有相对于所述基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤； 布置在所述堤上的第二电极； 电连接到所述第一电极和所述第二电极的有源图案，所述有源图案被布置在所述倾斜表面上，并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在所述第一导电区与所述第二导电区之间的沟道区；以及 与所述有源图案的所述沟道区的至少一部分重叠的栅电极， 其中在平面图中，所述倾斜表面在第一方向上延伸， 其中所述第一导电区、所述沟道区和所述第二导电区沿着与所述第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在所述倾斜表面上，并且 其中所述第一电极和所述第二电极位于不同的平面上。
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