三星电子株式会社文熙昌获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010248879.7，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权半导体器件是由文熙昌设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：堆叠结构，设置在下结构上；绝缘结构，设置在堆叠结构上；以及垂直结构，在垂直于下结构的上表面的方向上延伸，并具有与堆叠结构和绝缘结构相对的侧表面。堆叠结构包括交替地堆叠的层间绝缘层和栅极层，绝缘结构包括下绝缘层、在下绝缘层上的中间绝缘层和在中间绝缘层上的上绝缘层。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 堆叠结构； 下结构，其中所述堆叠结构设置在所述下结构上； 绝缘结构，设置在所述堆叠结构上； 垂直结构，在垂直于所述下结构的上表面的方向上延伸，其中所述垂直结构包括与所述堆叠结构的侧表面相对并且与所述绝缘结构的侧表面相对的侧表面；以及 接触插塞，在所述垂直结构上并且接触所述垂直结构， 其中所述堆叠结构的至少一部分包括多个层间绝缘层和多个栅极层，其中所述多个层间绝缘层和所述多个栅极层交替地堆叠， 其中所述绝缘结构包括下绝缘层、中间绝缘层和上绝缘层， 其中所述中间绝缘层设置在所述下绝缘层上， 其中所述上绝缘层设置在所述中间绝缘层上， 其中所述中间绝缘层的材料不同于所述下绝缘层的材料和所述上绝缘层的材料， 其中所述中间绝缘层相对于所述上绝缘层和所述下绝缘层表现出蚀刻选择性， 其中所述垂直结构包括芯图案、在所述芯图案的侧表面上的沟道区域和在所述芯图案上的焊盘部分，以及 其中所述接触插塞接触所述焊盘部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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