三星电子株式会社崔允荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010674997.4，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置是由崔允荣;李炳铉;具炳周;金昇辰;朴相在;裵珍宇;李翰杰;崔辅友;洪贤宝设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置在说明书摘要公布了：提供了制造电容器和半导体器件的方法即，电容器形成方法和半导体器件形成方法以及半导体器件和包括该半导体器件的装置。所述电容器形成方法可以包括：在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；在第二模制层上形成掩模图案；使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部；在凹部中形成下电极；通过干法清洁工艺去除掩模图案；减小下电极的上部的宽度；去除第一模制层；在下电极的表面上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。
本发明授权制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置在权利要求书中公布了：1.一种电容器形成方法，所述电容器形成方法包括： 在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层； 在第二模制层上形成掩模图案； 使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部； 在凹部中形成下电极； 通过干法清洁工艺去除掩模图案以暴露下电极的上部； 减小下电极的上部的宽度； 去除第一模制层； 在下电极的表面上形成介电层；以及 在介电层上形成上电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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