株式会社半导体能源研究所石津贵彦获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利存储装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112313792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980040236.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储装置及电子设备是由石津贵彦;斋藤利彦;鱼地秀贵;山崎舜平设计研发完成，并于2019-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置及电子设备在说明书摘要公布了：提供一种新颖的存储装置。本发明的一个方式是包括多个存储单元的存储装置，一个存储单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管的源极及漏极中的一个通过节点SN电连接到第二晶体管的栅极。通过第一晶体管写入的信息保持在节点SN中。通过使用OS晶体管作为第一晶体管，不需要形成保持电容器。通过在存储单元外侧设置低相对介电常数区域，可以降低来自外部的噪声，实现稳定工作。
本发明授权存储装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，包括： 包括第一晶体管及第二晶体管的存储单元； 所述第一晶体管及所述第二晶体管上的绝缘层； 第一字线、第二字线；以及 第一位线、第二位线， 其中，所述第一晶体管的半导体层包含金属氧化物， 所述绝缘层包括多个空隙， 所述第一位线及所述第二位线在第一方向上延伸， 所述第一字线及所述第二字线在第二方向上延伸， 所述第一晶体管的栅极与所述第一字线电连接， 所述第一晶体管的源极及漏极中的一个与所述第二晶体管的栅极电连接， 所述第一晶体管的源极及漏极中的另一个与所述第一位线电连接， 所述第二晶体管的源极及漏极中的一个与所述第二字线电连接， 所述第二晶体管的源极及漏极中的另一个与所述第二位线电连接， 所述多个空隙都包括在与所述第一方向交叉的方向上延伸的区域， 并且，所述第一字线、所述第二字线和所述第二位线都包括与所述多个空隙重叠的区域。
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