上海艾为电子技术股份有限公司程涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海艾为电子技术股份有限公司申请的专利电容传感装置和寄生电容补偿方法、电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112332830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011150005.4,技术领域涉及:H03K17/96;该发明授权电容传感装置和寄生电容补偿方法、电子设备是由程涛;张忠;谢伟军设计研发完成,并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容传感装置和寄生电容补偿方法、电子设备在说明书摘要公布了:本申请公开一种电容传感装置及其寄生电容补偿方法,一种电子设备,所述电容传感装置包括:传感电容;片外补偿模块,用于提供片外补偿电容;电容检测电路,用于检测传感电容,并根据所述片外补偿电容和所述传感电容的电容值,输出与所述传感电容的电容变化相对应的传感信号;其中,所述片外补偿模块,位于所述电容检测电路所在芯片外部,在所述传感电容未产生电容变化时,所述片外补偿电容使得所述电容检测电路输出的传感信号小于第一阈值。所述电容传感装置具有较大的寄生电容补偿范围。
本发明授权电容传感装置和寄生电容补偿方法、电子设备在权利要求书中公布了:1.一种电容传感装置,其特征在于,包括: 传感电容; 片外补偿模块,用于提供片外补偿电容; 电容检测电路,用于检测传感电容,并根据所述片外补偿电容和所述传感电容的电容值,输出与所述传感电容的电容变化相对应的传感信号; 其中,所述片外补偿模块,位于所述电容检测电路所在芯片外部,在所述传感电容未产生电容变化时,所述片外补偿电容使得所述电容检测电路输出的传感信号小于第一阈值,所述第一阈值为大于零的一个预设值,所述片外补偿电容的电容值小于所述传感电容的寄生电容的电容值; 所述电容检测电路还包括片内补偿模块,用于在所述片外补偿电容的基础上,提供片内补偿电容,所述片内补偿电容的电容值小于所述片外补偿电容的电容值。
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