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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种电压法测试扩散结深的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111264807.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种电压法测试扩散结深的方法是由王怡鑫;侯斌;刘威;张文鹏;胡长青;王西岐;李照设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电压法测试扩散结深的方法在说明书摘要公布了：本发明一种电压法测试扩散结深的方法，先对硅衬底片的上部分进行氧化，之后按设计的版图对氧化层进行光刻，图形的形状为正方形且呈阵列式分布，每行相邻的两个图形间距依次增加，每相邻两行的间距大于所述两行中任意两个相邻图形间距的最大值，最后去除光刻区域的氧化层和光刻时的光阻剂；在硅衬底片的光刻区域注入或掺入杂质，之后去除表面的氧化层；将两根探针与图示仪连接，按光刻图形间距从小到大的顺序，用两根探针在样片上相邻的两个光刻图形上进行测试，片击穿时继续在下一个相邻的两个光刻图形上测试，直到无法击穿时记录上一个的图形的间距，再结合杂质横向扩散距离与扩散结深的比值，即可得到扩散结深，该方法成本低，适用范围广泛。

本发明授权一种电压法测试扩散结深的方法在权利要求书中公布了：1.一种电压法测试扩散结深的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，在1000～1200℃下先对硅衬底片的上部分氧化2～2.5h，其中氢气流速为3～7Lmin，氧气流速为5～9Lmin，硅衬底片的上部分形成厚度为800～1100nm的氧化层，之后按照设计的版图对氧化层进行光刻，设计的版图中图形的形状为正方形，边长为5～200μm，且呈阵列式分布，每行中相邻的两个图形间距依次增加0.1～5μm，每行中相邻的两个图形间距为3～200μm，每相邻两行的间距大于所述两行中任意两个相邻图形间距的最大值，最后去除光刻区域的氧化层和光刻时的光阻剂； 步骤2，在步骤1得到的硅衬底片的光刻区域注入或掺入杂质，所述杂质为N型或P型，掺入采用900～1200℃的扩散温度，注入在剂量为1013～1017cm-2、能量为20～160keV的条件下进行并800～1200℃退火，之后去除硅衬底片表面的氧化层，得到测试样片； 步骤3，将两根探针与图示仪连接，按照光刻图形间距从小到大的顺序，用两根探针的探测端分别在测试样片上相邻的两个光刻图形上进行电压测试，扫描电压为0V～10V，当测试样片击穿时，继续在下一个相邻的两个光刻图形上进行电压测试，直到测试样片无法击穿时，记录上一个相邻的两个光刻图形的间距d，按下式得到测试样片中的扩散结深： Xj＝d2a，其中Xj为测试样片中的扩散结深，a为步骤2所述杂质的横向扩散距离与测试样片中的扩散结深的比值。

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