联华电子股份有限公司曾俊砚获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利磁阻式随机存取存储器的布局图案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010770916.0，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁阻式随机存取存储器的布局图案是由曾俊砚;王淑如;郭有策;陈昌宏;吴奕廷;叶书玮;邱雅兰;黄俊宪设计研发完成，并于2020-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻式随机存取存储器的布局图案在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一单元区、第二单元区、第三单元区以及第四单元区设于基底上以及一扩散区设于基底上并延伸至该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区，其中该扩散区依据上视角度包含一H形。
本发明授权磁阻式随机存取存储器的布局图案在权利要求书中公布了：1.一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其特征在于，包含： 基底，包含第一存储单元区、第二存储单元区、第三存储单元区以及第四存储单元区；以及 扩散区，设于该基底上并延伸至该第一存储单元区、该第二存储单元区、该第三存储单元区以及该第四存储单元区，其中该扩散区包含一H形， 所述H形包括重叠该第一存储单元区、该第二存储单元区、该第三存储单元区以及该第四存储单元区的一部分， 其中该扩散区包含： 第一部分，沿着第一方向由该第一存储单元区延伸至该第三存储单元区； 第二部分，沿着该第一方向由该第二存储单元区延伸至该第四存储单元区； 第三部分，沿着第二方向由该第一存储单元区延伸至该第二存储单元区并连接该第一部分以及该第二部分； 第四部分，沿着该第二方向由该第三存储单元区延伸至该第四存储单元区并连接该第一部分以及该第二部分；以及 第五部分，沿着该第二方向延伸于该第三部分以及该第四部分之间并连接该第一部分以及该第二部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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