美国亚德诺半导体公司C·布莱克莫尔获国家专利权
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龙图腾网获悉美国亚德诺半导体公司申请的专利低寄生电容MEMS惯性传感器及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114096856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080046341.6，技术领域涉及：G01P15/125；该发明授权低寄生电容MEMS惯性传感器及相关方法是由C·布莱克莫尔;J·A·格雷戈里;N·珀克洛夫斯基;B·C·卡安塔设计研发完成，并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本低寄生电容MEMS惯性传感器及相关方法在说明书摘要公布了：描述表现出减小寄生电容的微机电系统MEMS惯性传感器。寄生电容的减小可通过形成厚介电材料的局部区域来实现。这些局部区域可以在沟槽内部形成。形成沟槽能够增加感测电容器和基板之间的垂直间隔，从而降低该区域的寄生电容。感测电容器的固定电极可置于检测质量块和沟槽之间。沟槽可以用电介质材料填充。在某些情况下，部分沟槽可充满空气，从而进一步降低寄生电容。在其他类型的惯性传感器中，这些MEMS惯性传感器可以用作加速计和或陀螺仪。制造这些沟槽可涉及侧向氧化，由此氧化半导体材料柱。
本发明授权低寄生电容MEMS惯性传感器及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造微机电系统MEMS惯性传感器的方法，该方法包括： 从基板的第一表面蚀刻基板以形成由多个间隙彼此隔开的多个半导体材料柱，所述多个间隙包括第一间隙； 对所述基板进行氧化处理，以至少氧化所述多个半导体材料柱以用氧化物材料至少填充所述第一间隙的一部分； 在所述氧化物材料之上形成电极；和 形成在所述基板的第一表面之上悬挂的检测质量块。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美国亚德诺半导体公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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