武汉市三选科技有限公司伍得获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉市三选科技有限公司申请的专利用于消除气孔和发花的填充胶及其制备方法和半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120737783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511233980.4，技术领域涉及：C09J163/04；该发明授权用于消除气孔和发花的填充胶及其制备方法和半导体芯片是由伍得;王圣权;廖述杭;王燕玲设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于消除气孔和发花的填充胶及其制备方法和半导体芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于消除气孔和发花的填充胶及其制备方法和半导体芯片，涉及半导体封装技术领域，填充胶以质量百分比计包括以下组分：二氧化硅68%～78%，环氧树脂10%～15%，固化剂10%～15%，阴离子型润湿剂0.3%～1.5%，流平剂0.3%～1.5%，炭黑0.1%～0.3%，促进剂0.1%～0.3%；所述流平剂的主要成分为有机改性聚硅氧烷；本发明在环氧体系中加入特定的润湿剂和流平剂，通过各组分的协同作用共同消除填充胶表面的气孔和发花现象，并避免溢胶风险，提高半导体器件封装可靠性。
本发明授权用于消除气孔和发花的填充胶及其制备方法和半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种用于消除气孔和发花的填充胶，其特征在于，所述填充胶以质量百分比计包括以下组分：二氧化硅68%～78%，环氧树脂10%～15%，固化剂10%～15%，阴离子型润湿剂0.3%～1.5%，流平剂0.3%～1.5%，炭黑0.1%～0.3%，促进剂0.1%～0.3%；所述流平剂的主要成分为有机改性聚硅氧烷； 所述阴离子型润湿剂包括丁二酸二己酯磺酸钠和二辛基磺化琥珀酸钠中的至少一种； 所述流平剂的型号包括AMORSO-137和EFKASL3299中的至少一种； 所述环氧树脂为双酚A酚醛型环氧树脂；所述环氧树脂的环氧当量为190～230geq； 所述固化剂为胺类固化剂，所述胺类固化剂包括2-甲基戊二胺和三乙烯四胺中的至少一种； 所述促进剂为胺类促进剂，所述胺类促进剂包括邻羟基苄基二甲胺、三乙醇胺和三乙胺中的至少一种。
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