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龙图腾网获悉深圳市纬迪实业发展有限公司申请的专利一种薄膜电容器的加工方法及薄膜电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120746682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511255159.2，技术领域涉及：G06Q30/0601；该发明授权一种薄膜电容器的加工方法及薄膜电容器是由陈海勇;刘坚雄设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜电容器的加工方法及薄膜电容器在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜电容器的加工方法及薄膜电容器，属于薄膜电容器加工技术领域，加工方法包括：步骤1：基于薄膜电容器的历史加工数据训练加工方案制定模型；步骤2：根据薄膜电容器的所需加工特征和加工方案制定模型，生成加工方案；步骤3：基于加工方案进行加工测试。本发明的一种薄膜电容器的加工方法及薄膜电容器，根据标注了历史材料选择、历史薄膜处理方式、历史电容结构以及历史加工的薄膜电容器的实际电容器参数的历史加工数据训练加工方案制定模型；利用该加工方案制定模型和薄膜电容器的所需电容器参数，确定加工方案，并基于该加工方案进行加工并测试，测试通过再进行后续的批量应用，提高了薄膜电容器加工方案制定的适宜性。

本发明授权一种薄膜电容器的加工方法及薄膜电容器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜电容器的加工方法，其特征在于，包括： 步骤1：基于薄膜电容器的历史加工数据训练加工方案制定模型； 步骤2：根据薄膜电容器的所需加工特征和加工方案制定模型，生成加工方案，所需加工特征为薄膜电容器的所需电容器参数； 步骤3：基于加工方案进行加工测试； 步骤4：在加工测试的过程中，基于预设的工业相机拍摄挤出机挤出的第一成膜段； 提取第一成膜段的第一缺陷特征； 定位首个检出的第一缺陷特征对应的网格位置； 将网格位置所在网格列之后的第一成膜段作为第二成膜段； 构建接着第二成膜段成膜的模拟成膜段，构建时，约束第二成膜段和模拟成膜段共同组成的目标成膜段不符合成膜稳定性标准；其中，模拟成膜段是模拟的第二成膜段未来接续的成膜段； 将目标成膜段中的模拟成膜段和第一成膜段的未来成膜段进行缺陷特征匹配，当模拟成膜段中前个模拟缺陷特征和未来成膜段实时检出的缺陷特征对应匹配，根据模拟成膜段的第个模拟缺陷特征，确定挤出机调整策略；其中，为模拟成膜段中模拟缺陷特征的总数目； 基于挤出机调整策略，控制挤出机进行挤出策略的调整。

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