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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511211625.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体器件的制造方法是由金文祥;谢秋姣;王涛涛设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件的制造方法，包括：在第一晶圆中设置阻挡层，阻挡层位于修边区域与中心区域之间；在修边区域对第一晶圆修边；将第一晶圆与第二晶圆键合；对第一晶圆与第二晶圆共同修边，以暴露阻挡层；自第二表面对第一晶圆进行化学机械抛光，在化学机械抛光的步骤之前，沿第一晶圆的径向方向，靠近第一表面的第一晶圆的边缘朝向第一晶圆的中心形成有凹陷，化学机械抛光停止在阻挡层附近。阻挡层在化学机械抛光的过程中保护了第一晶圆的边缘，改善了边缘研磨过度的问题，凹陷阻挡抛光步骤中留下的颗粒朝向第一晶圆表面中心移动，从而提升器件的良率。

本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： 在第一晶圆中设置阻挡层，所述第一晶圆具有相对的第一表面与第二表面，所述阻挡层靠近所述第一表面，所述第一晶圆包括中心区域和边缘区域，所述边缘区域包括位于所述第一晶圆最外侧的修边区域，所述阻挡层位于所述修边区域与所述中心区域之间； 在所述修边区域对所述第一晶圆修边，且沿所述第一表面朝向所述第二表面的方向，对所述第一晶圆修边的深度超过所述阻挡层； 将所述第一晶圆与第二晶圆键合，键合后所述第一表面靠近所述第二晶圆； 对所述第一晶圆与所述第二晶圆共同修边，以暴露所述阻挡层，且沿所述第二表面朝向所述第一表面的方向，所述共同修边的底部位于所述第二晶圆中；以及 自所述第二表面对所述第一晶圆进行化学机械抛光， 其中，在所述化学机械抛光的步骤之前，沿所述第一晶圆的径向方向，靠近所述第一表面的所述第一晶圆的边缘朝向所述第一晶圆的中心形成有凹陷，且所述阻挡层覆盖所述凹陷的内表面，所述化学机械抛光停止在所述阻挡层的表面附近， 在所述化学机械抛光的步骤中，研磨液对所述阻挡层与所述第一晶圆的选择比不同，所述阻挡层的研磨速率低于所述第一晶圆的研磨速率。

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