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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种电吸收调制激光器的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511276335.0，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种电吸收调制激光器的制备方法及结构是由姚广峰;付文锋设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电吸收调制激光器的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电吸收调制激光器的制备方法及结构，其中方法包括：将衬底对称划分为双端调制区、增益区、光栅区及相位区，在增益区表面制作第一掩膜图形，通过选区外延技术在掩膜间隙生长含量子阱结构的有源层，实现增益区禁带红移；随后制作覆盖增益区与调制区进行掩膜，刻蚀非功能区暴露衬底；在裸露衬底区域对接生长带隙更宽的无源材料，形成光子限制结构；通过电子束直写制作取样光栅，生长包层及接触层并刻蚀倒台浅脊波导；最后刻蚀电隔离沟并制作双面电极完成器件集成。本发明通过选区外延生长技术，利用一次外延生长实现增益区和调制区两种禁带宽度的有源材料，为波长可调谐电吸收调制激光器提供了极低成本的解决方案。

本发明授权一种电吸收调制激光器的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种电吸收调制激光器的制备方法，其特征在于，包括： 对衬底进行表面布局，将衬底表面沿长度方向依次划分为第一调制区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制区；其中，第一\第二前光栅区、第一\第二增益区、第一\第二调制区及第一\第二相位区以衬底中心纵向为轴对称设置； 在衬底的第一、第二增益区表面分别制作第一掩膜图形，所述第一掩膜图形为长度与第一\第二增益区长度相同、具有预设间距和宽度的两个条形图案；所述第一\第二调制区的长度为150微米，第一\第二增益区的长度为300微米，第一\第二相位区的长度为100微米，第一\第二前光栅区的长度为50微米，后光栅区的长度为500微米；选区外延的第一掩膜图形长度设置为300微米、宽度为12微米、间距为20微米，在衬底表面除第一掩膜图形之外的部分生长有源层，再腐蚀去除第一掩膜图形； 所述有源层为InGaAlAs有源层，其光荧光波长为1545nm；所述有源层从下至上依次包括下限制层、多量子阱层和上限制层； 在所述有源层表面制作位于第一、第二增益区和第一、第二调制区的第二掩膜图形，并采用刻蚀技术去除第二掩膜图形之外的有源层；所述刻蚀技术采用ICP干法刻蚀技术； 利用对接生长技术完成后光栅区、第一、第二前光栅区和第一、第二相位区以及去除第一掩膜图形后衬底部分的无源材料生长；所述无源材料为InGaAsP，其光荧光波长为1450nm； 通过电子束直写技术在第一前光栅区、后光栅区和第二前光栅区制作取样光栅； 在表面整体区域依次生长制作包层和电接触层，并在包层和电接触层上制作倒台浅脊波导结构； 在电接触层上刻蚀电隔离沟，以实现各区域之间的电隔离； 在各区域的电接触层上制作P面电极，衬底减薄后在衬底底部的整体表面制作N面电极，完成激光器制作。

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