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龙图腾网获悉天府绛溪实验室申请的专利一种纳米硅、纳米氧化硅及硅碳纳米复合材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120757117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511283240.1，技术领域涉及：C01B33/025；该发明授权一种纳米硅、纳米氧化硅及硅碳纳米复合材料的制备方法是由向勇;陈颉颃;蒋琰;陈鹏堃设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米硅、纳米氧化硅及硅碳纳米复合材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米硅技术领域，特别涉及一种纳米硅、纳米氧化硅及硅碳纳米复合材料的制备方法。纳米硅制备方法包括以下步骤：S1：提供内置石墨电极的电弧炉，对石墨电极通入高压电源产生电弧放电，形成高温区域；S2：提供固态的硅源及碳源，按照二氧化硅与碳的摩尔比为2：3至3：2进行混合后送入高温区域，通过还原反应生成硅和二氧化碳，化学方程式为：SiO2+C→Si+CO2↑，生成的硅在高温区域气化后生成硅蒸气；S3：向电弧炉的内部通入惰性气体，惰性气体将硅蒸气及二氧化碳气体送至冷却区域进行冷凝处理，使硅蒸气冷凝生成纳米级硅颗粒；S4：提供过滤系统，过滤出纳米级硅颗粒中的纳米硅粉，并收集纳米硅粉。

本发明授权一种纳米硅、纳米氧化硅及硅碳纳米复合材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅碳纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供内置石墨电极的电弧炉，对石墨电极通入高压电源产生电弧放电，形成高温区域； S2：提供固态的硅源及碳源，按照二氧化硅与碳的摩尔比范围为2：3至3：2进行混合后送入高温区域，通过还原反应生成硅和二氧化碳，化学方程式为：SiO2+C→Si+CO2↑，生成的硅在高温区域气化后生成硅蒸气； S3：向电弧炉的内部通入惰性气体，惰性气体将硅蒸气及二氧化碳气体送至冷却区域进行冷凝处理，使硅蒸气冷凝生成纳米级硅颗粒； S4：提供过滤系统，过滤出纳米级硅颗粒中的纳米硅粉，并收集纳米硅粉； 执行步骤S1至步骤S2之后，还包括以下步骤： P1：在电弧炉内设置多孔碳纤维支架，向多孔碳纤维支架放入多孔碳纤维； P2：设定对石墨电极通入高压电源产生电弧放电的电流至少为120A，使硅蒸气渗透至多孔碳纤维中形成非晶硅； P3：以至少104Ks的速率冷却，促使非晶硅在多孔碳纤维的表面沉积并生长，形成硅碳纳米复合材料； 冷凝处理包括以下步骤： S31：在高温区域与冷却区域之间设置耐热导管，惰性气体将硅蒸气及二氧化碳气体通过耐热导管送至冷却区域； S32：在冷却区域设置-196℃的液氮冷阱，液氮冷阱促使硅蒸气以至少104Ks速率冷却，生成平均粒径为25nm至35nm的非晶硅粉。

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