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龙图腾网获悉山西烁科晶体有限公司申请的专利一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120772693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511284909.9，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法是由高宇鹏;李斌;魏汝省;毛开礼;李天;刘宏伟;王国宏设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法，属于半导体材料加工技术领域。具体方法为：将边缘有多晶和slit的碳化硅晶锭首先用激光将边缘有多晶和slit的区域进行环形切割，需要注意的是，环形切割的位置需在晶锭对称方向同时进行，确保边缘高应力的区域，其引入机械应力的同时，得以两边同时释放应力，降低晶体开裂风险。激光切割完成后，采用单线掏剩余部分，其中单线进刀位置用激光切割的中部进，然后完成晶锭掏棒。通过本发明的改进工艺，利用激光切割对边缘多晶和slit区域进行环形切割，将边缘高应力通过激光环形切割隔绝向内延伸，解决了后续单线掏棒引入机械应力的开裂问题，实现快速、低损耗低风险加工晶锭。

本发明授权一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法，其特征在于，具体包括如下步骤： S1.碳化硅晶锭预处理; S2.激光环形切割应力释放; S3.单线切割掏棒成型； 所述步骤S1具体为：提供边缘含多晶层及slit缺陷的碳化硅晶锭，通过光学检测或X射线衍射确定多晶区域及slit缺陷的分布范围，标记晶锭对称轴线及缺陷边缘位置；晶锭需固定于具有多自由度调节功能的加工平台，确保切割方向与晶锭c轴垂直； 所述步骤S2具体包括： S2.1.切割路径规划：沿晶锭圆周方向，在距离缺陷边缘2-5mm处设定环形切割路径，且两条切割路径对称分布于晶锭轴线两侧； S2.2.同步切割：双激光头同步沿对称路径进行切割，切割方向相反； S2.3.应力释放机制：对称切割产生的局部热应力在晶锭内部相互抵消，阻断裂纹向晶锭内部扩展； 激光切割的工艺参数为：波长为355-1064nm，脉冲能量为0-50Jcm2，重复频率为1kHz-2MHz，脉冲宽度为1-500fs，脉冲稳定性为-3-+3，空间均匀性为≤3%，overlap为30%-99%，扫描速度为10-2000mms，环境控制为氩气或氮气； 所述步骤S3为：激光切割完成后，采用金刚石单线切割机进行剩余部分的掏棒加工。

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