珠海凌烟阁芯片科技有限公司李宏俊获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海凌烟阁芯片科技有限公司申请的专利一种电流源电路、时钟源电路及时钟源生成装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120780091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511277876.5,技术领域涉及:G05F1/567;该发明授权一种电流源电路、时钟源电路及时钟源生成装置是由李宏俊;李晴鹤;卢欣;谢建棋设计研发完成,并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电流源电路、时钟源电路及时钟源生成装置在说明书摘要公布了:本公开实施例提供了一种电流源电路、时钟源电路及时钟源生成装置,包括:偏置电流生成电路和温度系数平衡电路;所述偏置电流生成电路包括:电流调节模块和输出模块;用于生成具有相应正温度系数的偏置电流;所述电流调节模块包括:第一三极管和第二三极管;用于将施加于所述第一三极管和所述第二三极管的偏置电压按照所述预设面积比进行调节,得到具有目标电流值的第一电流;所述输出模块,用于输出偏置电流;所述温度系数平衡电路,用于生成具有负温度系数的电流,调节偏置电流的温度系数。本公开提供的电流源电路可以产生正系数的偏置电流,并通过负温度系数的电流对偏置电流的温度系数进行调节,以及保障输出的偏置电流稳定。
本发明授权一种电流源电路、时钟源电路及时钟源生成装置在权利要求书中公布了:1.一种电流源电路,其特征在于,包括:偏置电流生成电路和温度系数平衡电路; 所述偏置电流生成电路包括:电流调节模块、输出模块和偏置电压生成模块;所述偏置电流生成电路,用于生成具有相应正温度系数的偏置电流; 所述电流调节模块包括:第一三极管和第二三极管;所述第一三极管和所述第二三极管为两个具有预设面积比的对称晶体管;所述电流调节模块,用于将施加于所述第一三极管和所述第二三极管的偏置电压按照所述预设面积比进行调节,得到具有目标电流值的第一电流; 所述输出模块,用于获取所述第一电流,并输出为偏置电流; 所述偏置电压生成模块,用于将电源电压转换为两路相等的偏置电压,并输出至电流调节模块; 所述温度系数平衡电路,包括分别与所述第一三极管和所述第二三极管并联的两路电阻;所述温度系数平衡电路用于生成具有负温度系数的电流,调节所述偏置电流生成电路中偏置电流的温度系数; 所述偏置电压生成模块包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管; 所述第一PMOS管的源极与电源相连,所述第一PMOS管的栅极分别与所述输出模块、所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极相连,所述第一PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极相连; 所述第二PMOS管的源极与电源相连,所述第二PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极相连; 所述第三PMOS管的栅极分别与所述输出模块、所述第四PMOS的栅极和所述第二NMOS管的漏极相连,所述第三PMOS管的漏极分别与所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极相连; 所述第四PMOS管的漏极与所述第二电阻的一端相连; 所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一电阻的另一端和所述第三NMOS管的栅极相连,所述第一NMOS管的漏极栅极与所述第二NMOS管的栅极相连,所述第一NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极相连; 所述第二NMOS管的漏极与所述第二电阻的另一端相连,所述第二NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极相连; 所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极相连,所述第三NMOS管的源极与所述电流调节模块相连; 所述第四NMOS管的源极与所述电流调节模块相连。
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