上海亿钶气体股份有限公司胡红杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海亿钶气体股份有限公司申请的专利一种制备高纯二氧化硅的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120793940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511286825.9，技术领域涉及：C01B33/12；该发明授权一种制备高纯二氧化硅的方法是由胡红杰;杨冠草;徐倩;杨代权;牛聪明;李建新设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备高纯二氧化硅的方法在说明书摘要公布了：本发明为一种制备高纯二氧化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤1原料预处理：将单晶硅拉晶尾气处理和氩气回收过程中收集的粉尘进行初步处理；步骤2可控燃烧氧化处理：将预处理后的粉尘在密闭回转窑中进行低氧浓度燃烧氧化；步骤3氨水‑草酸络合洗涤：对氧化处理后的粉尘进行氨水‑草酸络合洗涤；步骤4真空热脱附处理：对洗涤后的粉尘进行真空热脱附处理；步骤5产品纯化：对脱附后的粉尘进行纯化处理，得到高纯二氧化硅产品。本发明操作简单，工艺参数易于控制，适合工业化生产，且无需使用有机溶剂，避免了传统液相法对环境的污染。
本发明授权一种制备高纯二氧化硅的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备高纯二氧化硅的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤1原料预处理：将单晶硅拉晶尾气处理和氩气回收过程中收集的粉尘进行初步处理； 步骤2可控燃烧氧化处理：将预处理后的粉尘在密闭回转窑中进行低氧浓度燃烧氧化； 步骤3氨水-草酸络合洗涤：对氧化处理后的粉尘进行氨水-草酸络合洗涤； 步骤4真空热脱附处理：对洗涤后的粉尘进行真空热脱附处理； 步骤5产品纯化：对脱附后的粉尘进行纯化处理，得到高纯二氧化硅产品。
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