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华芯程(杭州)科技有限公司;华芯程(上海)工业软件有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司;华芯程(上海)工业软件有限公司申请的专利一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120848128B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511349913.9,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了:本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质,通过接收待处理芯片图案;确定所述待处理芯片图案的角点;根据预设的圆角化参数,对所述角点进行圆角化处理,在所述待处理芯片图案的内部生成圆角变换图案;对包括所述圆角变换图案的待处理芯片图案进行栅格化,并为每一个栅格赋值,得到掩膜目标图像分布;根据所述掩膜目标图像分布,确定掩膜像素分布;将所述掩膜像素分布输入预设的光学模型,经过多次迭代得到掩膜最佳图案分布。本发明中将光学模拟中的空间强度借助sigmod函数转化为sigmod图像,提升了迭代过程的收敛效率,同时也降低了算力消耗与计算耗时,进而提升了集成电路芯片的曝光质量。

本发明授权一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种逆光刻反演方法,其特征在于,包括: 接收待处理芯片图案; 确定所述待处理芯片图案的角点; 根据预设的圆角化参数,对所述角点进行圆角化处理,在所述待处理芯片图案的内部生成圆角变换图案; 对包括所述圆角变换图案的待处理芯片图案进行栅格化,并为每一个栅格赋值,得到掩膜目标图像分布;其中,与所述圆角变换图案完全重叠的栅格对应的值及与所述圆角变换图案完全不重叠的栅格对应的值不同,与所述圆角变换图案部分重叠的栅格对应的值为所述圆角变换图案在所述栅格内的面积占比; 根据所述掩膜目标图像分布,确定掩膜像素分布; 将所述掩膜像素分布输入预设的光学模型,经过多次迭代得到掩膜最佳图案分布;在每一次的迭代中,所述光学模型通过预设的光学核函数对所述掩膜像素分布进行模拟,得到对应的空间强度,再利用sigmod函数将所述空间强度转化为sigmod图像,并将所述sigmod图像与所述掩膜目标图像分布进行对比,直至所述sigmod图像与所述掩膜目标图像分布的差异最小,将所述sigmod图像与所述掩膜目标图像分布的差异最小时,所述sigmod图像对应的掩膜像素分布作为所述掩膜最佳图案分布; 根据所述掩膜目标图像分布,确定掩膜像素分布,包括: 对所述掩膜目标图像分布中,与所述圆角变换图案完全不重叠的栅格内的值进行随机值代替,得到掩膜像素分布。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华芯程(杭州)科技有限公司;华芯程(上海)工业软件有限公司,其通讯地址为:311113 浙江省杭州市余杭区良渚街道网周路99号1幢22层2208室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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