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龙图腾网获悉中国石油大学(华东)申请的专利一种共面电容传感器缺陷检出能力评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120874399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511369121.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种共面电容传感器缺陷检出能力评估方法是由殷晓康;马鹏程;王珍元;赵明睿;黄家兴;张辰钰;宗树琛;李伟;袁新安;李肖;苏娟设计研发完成，并于2025-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种共面电容传感器缺陷检出能力评估方法在说明书摘要公布了：本发明属于非金属材料无损检测技术领域，尤其涉及一种共面电容传感器缺陷检出能力评估方法。该缺陷检出能力评估方法，通过对不同埋藏深度、尺寸下缺陷进行扫描并计算检测信号的畸变率，给出预定阈值判断缺陷是否检出；而后绘制可视化图表，实现对共面电容传感器缺陷检出极限能力的评估。一种共面电容传感器缺陷检出能力评估方法包括有：确定共面电容传感器的正灵敏度区域、负灵敏度区域以及零灵敏度区域；构建得到非金属材料缺陷测试组；建立得到静电场仿真模型；对检测信号求畸变率D；绘制不同埋深位置以及不同缺陷尺寸下检测信号畸变率D的关系曲线；给定预定阈值A，记录对比结果；将对比结果绘制于可视化图表中。

本发明授权一种共面电容传感器缺陷检出能力评估方法在权利要求书中公布了：1.一种共面电容传感器缺陷检出能力评估方法，其特征在于，包括有如下步骤： 步骤S101：确定待评估共面电容传感器的设计参数； 根据设计参数，确定待评估共面电容传感器的正灵敏度区域、负灵敏度区域以及零灵敏度区域； 步骤S102：在由待评估共面电容传感器的正灵敏度区域、负灵敏度区域以及零灵敏度区域构成的连续区间内，按指定步长逐渐递增缺陷埋藏深度与缺陷尺寸，构建得到具有不同埋深位置及不同缺陷尺寸双因素的非金属材料缺陷测试组； 步骤S103：建立得到待评估共面电容传感器与非金属材料缺陷测试组的静电场仿真模型； 步骤S104：连续移动待评估共面电容传感器，电容成像得到连续n个位置的检测信号电容值Cn； 其中，待评估共面电容传感器经过缺陷正上方时的检测信号电容值，记作Cm；待评估共面电容传感器经过无缺陷位置处时的检测信号电容值，记作C0； 对检测信号求畸变率，得到：； 步骤S105：绘制不同埋深位置以及不同缺陷尺寸下检测信号畸变率的关系曲线； 步骤S106：给定预定阈值；依次比较非金属材料缺陷测试组的畸变率与预定阈值的大小关系，并记录对比结果； 步骤S107：将步骤S106的对比结果绘制于可视化图表中； 以畸变率的绝对值大于预定阈值作为缺陷检出依据，以待评估共面电容传感器在每一埋深下对应的最小可检出缺陷尺寸的组合作为检测极限，评估共面电容传感器对缺陷的检出能力； 所述步骤S101中确定待评估共面电容传感器的正灵敏度区域、负灵敏度区域以及零灵敏度区域的过程，具体描述为： 建立待评估共面电容传感器的仿真模型； 对待评估共面电容传感器的两个极板依次施加激励电压、进行稳态源扫描、使用灵敏度公式计算电极间灵敏度，并进行可视化处理得到灵敏度分布图； 所述步骤S106中比较非金属材料缺陷测试组的畸变率与预定阈值的大小关系，并记录对比结果的过程，具体描述为： 若畸变率正向大于等于预定阈值，则认定缺陷由第一灵敏区域检出；若畸变率反向大于等于预定阈值，则认定缺陷由第二灵敏区域检出；若畸变率位于预定阈值正向值与预定阈值反向值之间的范围，则认定缺陷未被检出且缺陷位于检测盲区； 其中，第一灵敏区域为畸变率正向大于等于预定阈值的缺陷可检出区域；第二灵敏区域为畸变率反向大于等于预定阈值的缺陷可检出区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国石油大学(华东)，其通讯地址为：257061 山东省东营市东营区北二路271号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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