合肥皖芯集成电路有限公司张生义获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥皖芯集成电路有限公司申请的专利沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511376124.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构是由张生义;王安虎设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构在说明书摘要公布了：本发明提供沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构，通过在终端区栅极的表层设置与有源区栅极的表层的电阻率相同的重掺杂层，以使有源区栅极的电阻率和终端区栅极的电阻率相同。本发明意想不到的技术效果是，终端区栅极的表层增加了重掺杂层，终端区栅极的电阻率降低至和有源区栅极的电阻率相同，保证了沟槽型MOS器件的所有区域的栅极的电阻率一致，有效解决了有源区与终端区连接处的栅极内阻值分布不均的问题，有效避免了因有源区与终端区栅极内阻值差异造成电压分压不均，加强了对栅极氧化层的保护，减轻了静电击穿对沟槽型MOS器件的影响。同时降低了沟槽型MOS器件的栅极电阻，进而降低了栅极高阻导致功率密度过高引起局部热点烧毁的风险。
本发明授权沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MOS结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括有源区和终端区； 外延层，所述外延层位于所述衬底上； 沟槽型栅极，所述沟槽型栅极位于所述外延层内且所述沟槽型栅极包括有源区栅极和终端区栅极，所述终端区栅极包括相互连接的终端区栅极的第一部分和终端区栅极的第二部分，所述终端区栅极的第一部分用于电连接所述有源区栅极； 重掺杂层，所述重掺杂层包括有源重掺杂层和终端重掺杂层且所述有源重掺杂层和所述终端重掺杂层电连接，所述有源重掺杂层位于所述有源区的外延层的表层和所述有源区栅极的表层，所述终端重掺杂层位于所述终端区栅极的表层，所述终端重掺杂层完全覆盖所述终端区栅极，以使所述有源区栅极的电阻率和所述终端区栅极的电阻率相同。
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