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龙图腾网获悉合肥工业大学;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种基于相场法的绝缘粉末涂层介电击穿仿真模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120893267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511417525.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于相场法的绝缘粉末涂层介电击穿仿真模拟方法是由杨熙;王杰;杨为;蔡梦怡;张健;徐厚德设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于相场法的绝缘粉末涂层介电击穿仿真模拟方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于相场法的绝缘粉末涂层介电击穿仿真模拟方法，属于相场法与材料技术领域。该方法包括构建绝缘粉末涂层介电击穿相场计算模型，构建主击穿相场变量，构建随空间坐标变化的相对介电常数分布函数，并求解得到总电场强度分量；引入模型总自由能F，引入单位阶跃函数对Allen‑Cahn方程进行修正，并得到相场控制方程；确定相场、静电场控制方程的弱形式，通过相场、静电场相互耦合完成介电击穿模拟。本发明构建的模型不仅能够准确模拟绝缘涂层在强电场下击穿起始全过程，还可有效预测其临界击穿电压与可能发生的击穿路径，为绝缘粉末配方的精准优化和性能提升提供直接、量化的工具。

本发明授权一种基于相场法的绝缘粉末涂层介电击穿仿真模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种基于相场法的绝缘粉末涂层介电击穿仿真模拟方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，构建绝缘粉末涂层介电击穿相场计算模型；在绝缘粉末涂层介电击穿相场计算模型中，绝缘粉末涂层介电击穿包括三种状态，分别为击穿相、连续演变过渡相和未击穿相； 步骤2，构建与时间、空间相关的主击穿相场变量ηr,t，r为空间坐标，t为时间； 步骤3，测量绝缘粉末涂层材料的未击穿相的相对介电常数εp，并给定击穿相的相对介电常数εb；基于所述主击穿相场变量ηr,t的空间分布，构建一个随空间坐标变化的相对介电常数分布函数εrr，该函数εrr通过一个扩散界面平滑的连接未击穿相和击穿相； 步骤4，将相对介电常数分布函数εrr代入静电场控制方程，得到总电场强度分量； 步骤5，引入模型总自由能F，F=Fsep+Fgrad+Felec，其中，Fsep为相分离自由能，Fgrad为界面自由能，Felec为静电场自由能； 步骤6，引入单位阶跃函数对Allen-Cahn方程进行修正，并作为相场控制方程； 步骤7，给定相场、静电场控制方程的基本参数，为相场及静电场控制方程构建边界条件，设定初始值，并确定相场、静电场控制方程的弱形式，通过相场、静电场相互耦合完成介电击穿模拟。

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