买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长安大学申请的专利一种应用于MRAM的双采样感测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120913612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511445628.7，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种应用于MRAM的双采样感测电路是由左罗;李楠;张政;王明辉;胡凯益;吕韵秋设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于MRAM的双采样感测电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于MRAM的双采样感测电路，涉及存储器电路设计技术领域，该电路包括：至少一个SOT‑MRAM、预充电与放电控制模块、采样模块和感测放大模块；每个SOT‑MRAM包含数据单元和参考单元，数据单元的磁化状态与参考单元相反；预充电与放电控制模块，用于控制目标SOT‑MRAM的位线BL和BLB是否进行充电或放电；采样模块，用于在位线BL和BLB放电的过程中，分别采集位线BL和BLB上的电压以获得最大电压差；感测放大模块，用于放大该最大电压差并输出对应的数字信号，以表征MRAM中存储的数据。本发明能够在保持高速读操作的同时提高感测裕量，降低误码率，并实现较低的读能耗。

本发明授权一种应用于MRAM的双采样感测电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于MRAM的双采样感测电路，其特征在于，包括：至少一个SOT-MRAM、预充电与放电控制模块、采样模块和感测放大模块； 每个SOT-MRAM均包含一个数据单元和一个参考单元，每个SOT-MRAM中的数据单元的磁化状态与参考单元的磁化状态相反，每个SOT-MRAM用于接入读取控制信号RL和写入控制信号WL，所述读取控制信号RL和所述写入控制信号WL用于控制一个SOT-MRAM是否作为一个目标SOT-MRAM； 所述预充电与放电控制模块，用于控制所述目标SOT-MRAM中的数据单元的位线BL和参考单元的位线BLB是否进行充电或放电，其中，位线BL和位线BLB的放电速度不同； 所述采样模块，用于在所述目标SOT-MRAM中的数据单元的位线BL和参考单元的位线BLB进行放电的过程中，分别采集位线BL和位线BLB上的电压，以使采集的位线BL上的电压与位线BLB上的电压之间具有最大电压差； 所述感测放大模块，用于放大位线BL和位线BLB之间的最大电压差，并输出对应的数字信号； 其中，所述采样模块，具体用于在所述目标SOT-MRAM中的数据单元的位线BL和参考单元的位线BLB进行放电的过程中，当第一位线上的电压先下降至阈值电压时，采集这一时刻第二位线上的电压并进行保持，之后，当所述第二位线上的电压下降至所述阈值电压时，采集这一时刻所述第一位线上的电压并进行保持，其中，当所述第一位线是位线BL时，所述第二位线是位线BLB，当所述第一位线是位线BLB时，所述第二位线是位线BL； 所述采样模块包括：缓冲器单元、开关管单元和电压保持单元； 所述缓冲器单元，用于在所述第一位线上的电压下降至所述阈值电压时，控制所述开关管单元中位于所述第二位线上的开关管关闭； 所述电压保持单元，用于在所述第二位线上的开关管关闭时，将所述第二位线上的电压进行保持。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长安大学，其通讯地址为：710064 陕西省西安市雁塔区南二环中段长安大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。