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龙图腾网获悉新磊半导体科技(苏州)股份有限公司申请的专利一种分子束外延掺杂工艺参数的确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120932760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511444939.1，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权一种分子束外延掺杂工艺参数的确定方法是由郭帅;谢小刚;蒋建设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分子束外延掺杂工艺参数的确定方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分子束外延掺杂工艺参数的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在GaAs衬底上生长Si掺杂GaAs外延层，获得掺杂浓度与Si源炉温度之间的第一掺杂曲线，Ga源炉功率为第一功率；将Ga源炉功率固定为第二功率，获得第二掺杂曲线；将第二掺杂曲线转换为第二转换曲线；在后续生长预期掺杂浓度的外延层时，根据第一掺杂曲线获取第一Si温度T1，根据第二转换曲线获取第二Si温度T2，计算T3。通过获取不同Ga源炉功率下的掺杂曲线，将Ga源炉功率对掺杂浓度的影响进行量化，在后续确定Si温度时结合功率对掺杂浓度的影响，使所确定的Si温度对应的掺杂浓度更接近预期掺杂浓度，改善了掺杂浓度的精度。

本发明授权一种分子束外延掺杂工艺参数的确定方法在权利要求书中公布了：1.一种分子束外延掺杂工艺参数的确定方法，其特征在于，所述方法包括： 在GaAs衬底上生长Si掺杂GaAs外延层，以获得掺杂外延片，测试获得掺杂浓度，通过改变Si源炉温度并进行多次生长测试，获得掺杂浓度与Si源炉温度之间的第一掺杂曲线，在获取第一掺杂曲线的生长过程中，Ga源炉的功率为第一功率P1，Ga的生长速率为第一速率； 将Ga源炉的功率固定为第二功率P2，且P2不等于P1，Ga的生长速率为第二速率，再次进行多次生长测试，以获得掺杂浓度与Si源炉温度之间的第二掺杂曲线； 根据第一速率和第二速率，将第二掺杂曲线转换为与第一速率对应的第二掺杂转换曲线； 在后续生长预期掺杂浓度的GaAs外延层时，Ga生长速率为第一速率，Si源炉温度为T3，T3通过如下方式获得：获取Ga源炉的第三功率P3，针对预期掺杂浓度，根据第一掺杂曲线获取对应的第一Si温度T1，根据第二掺杂转换曲线获取对应的第二Si温度T2，计算T3=P3-P1P2-P1×T2-T1+T1， 所述根据第一速率和第二速率，将第二掺杂曲线转换为与第一速率对应的第二掺杂转换曲线，具体包括： 针对第二掺杂曲线中的任一Si温度t，获取对应的掺杂浓度N，根据下式计算转换浓度Ni：Ni=N×第二速率第一速率，并由全部的温度t及对应的转换浓度Ni构成第二掺杂转换曲线。

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