合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511454008.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构是由刘苏涛;林士闵设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，其中半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供一衬底；形成堆叠层于衬底上；蚀刻部分堆叠层和部分衬底，形成第一沟槽于衬底中和堆叠层中；形成牺牲层于第一沟槽的槽壁上和堆叠层上；填充第一沟槽，形成浅沟槽隔离结构，其中浅沟槽隔离结构包括台阶部，台阶部形成于堆叠层中；去除附着在台阶部表面的牺牲层；形成保护层于浅沟槽隔离结构的裸露表面上，其中保护层中具有胺基基团；以及依次去除堆叠层和保护层。本发明能够提升浅沟槽隔离结构的制造良率，并降低器件的双峰效应和漏电流概率。
本发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底； 形成堆叠层于所述衬底上； 蚀刻部分所述堆叠层和部分所述衬底，形成第一沟槽于所述衬底中和所述堆叠层中； 形成牺牲层于所述第一沟槽的槽壁上和所述堆叠层上； 填充所述第一沟槽，形成浅沟槽隔离结构，其中所述浅沟槽隔离结构包括台阶部，所述台阶部形成于所述堆叠层中； 去除附着在所述台阶部表面的所述牺牲层； 形成保护层于所述浅沟槽隔离结构的裸露表面上，其中所述保护层中具有胺基基团；以及 依次去除所述堆叠层和所述保护层。
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