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龙图腾网获悉华东师范大学;上海临港华东师大先进技术研究院有限公司;上海华辂科技有限公司;华东师范大学重庆研究院申请的专利一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511453493.9，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法是由成岩;郑勇辉;辛天骄;王秀芳设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法，包括：以硫系化合物作为母体材料，制备合金靶材；选择合适过渡金属为掺杂元素，制备单质靶材；将合金靶以及单质靶置于氩气气氛中，以双靶共溅射的方式在衬底上沉积制备相变材料薄膜；采用X射线衍射以及扫描电子显微镜分别表征所述相变材料薄膜的晶体结构以及微观形貌；采用聚焦离子束加工工艺将相变材料薄膜制备成纳米厚度薄片；采用球差校正透射电子显微镜中进行微观结构观测，优化沉积参数，循环迭代优化上述步骤直至得到硫系超晶格相变材料薄膜。本发明大为降低了超晶格相变材料的工艺复杂性，显著提升了制备效率。

本发明授权一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：选择具有织构特性的硫系化合物作为母体材料，制备合金靶材； 步骤2：自过渡金属元素中筛选得到掺杂元素，制备单质靶材； 步骤3：将所述合金靶材以及所述单质靶材置于氩气气氛中，以双靶共溅射的方式在硅衬底上沉积制备相变材料薄膜； 步骤4：采用X射线衍射以及扫描电子显微镜分别表征所述相变材料薄膜的晶体结构以及微观形貌，并依此对所述相变材料薄膜进行筛选； 步骤5：采用聚焦离子束加工工艺将筛选得到的所述相变材料薄膜制备成纳米厚度的相变材料薄片； 步骤6：将所述相变材料薄片置于球差校正透射电子显微镜中观测，获取纳米厚度的所述相变材料薄片内部晶粒结构信息； 步骤7：基于所述相变材料薄片内部晶粒结构信息优化步骤3中的在硅衬底上沉积制备相变材料薄膜的沉积参数； 步骤8：重复迭代步骤3至步骤7，直至步骤3在硅衬底上沉积制备得到的相变材料薄膜为原子尺度周期性堆垛的硫系超晶格相变材料薄膜；其中， 具有织构特性的所述硫系化合物的面心立方相[111]取向或者六方相[0001]取向与所述硅衬底的法线方向平行。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华东师范大学;上海临港华东师大先进技术研究院有限公司;上海华辂科技有限公司;华东师范大学重庆研究院，其通讯地址为：200241 上海市普陀区中山北路3663号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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