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龙图腾网获悉安徽大学;中国电子科技集团公司第三十八研究所申请的专利基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电-力多物理场耦合分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120951715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511489166.9，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电-力多物理场耦合分析方法是由陈士涛;李金泉;殷秋鹏;汪伟;黄志祥设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电-力多物理场耦合分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电‑力多物理场耦合分析方法，涉及MEMS微镜芯片，包括：建立三维MEMS微镜芯片的几何模型并对其进行参数设置和边界条件设置以及网格剖分；基于网格划分后的三维MEMS微镜芯片的几何模型，构建电‑力耦合方程；其中，电‑力耦合方程包括静电场方程、无源场泊松方程、电场应力张量方程和力学运动方程；利用时域有限差分算法对电‑力耦合方程进行求解，得到电‑力耦合方程中的各项物理参数，并根据其得到三维MEMS微镜芯片的偏转角度和内部应力变化。本发明能够快速、准确地计算出三维MEMS微镜芯片在电压加载下随时间演化的动态偏转角度和内部应力变化。

本发明授权基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电-力多物理场耦合分析方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电-力多物理场耦合分析方法，其特征在于，包括： 建立三维MEMS微镜芯片的几何模型； 对三维MEMS微镜芯片的几何模型进行参数设置和边界条件设置以及网格剖分，得到网格划分后的三维MEMS微镜芯片的几何模型； 基于网格划分后的三维MEMS微镜芯片的几何模型，构建电-力耦合方程；其中，电-力耦合方程包括静电场方程、无源场泊松方程、电场应力张量方程和力学运动方程； 利用FDTD算法对无源场泊松方程进行迭代求解，得到网格划分后的三维MEMS微镜芯片的几何模型中的各个网格点处的电势；通过对各个网格点处的电势采用差分近似，计算各个网格点处的电场强度矢量；将电场强度矢量代入电场应力张量方程，得到每个网格点对应的麦克斯韦应力张量；通过对麦克斯韦应力张量进行散度运算，获得作用在MEMS微镜芯片上的静电力密度；在获取静电力密度后，将其作为外部载荷项代入力学运动方程中，对力学运动方程进行FDTD时间迭代求解，计算三维MEMS微镜芯片在各时刻的位移矢量场和应力张量； 根据三维MEMS微镜芯片在各时刻的位移矢量场和应力张量，得到三维MEMS微镜芯片在电压加载下随时间演化的偏转角度和内部应力变化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学;中国电子科技集团公司第三十八研究所，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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