合肥晶合集成电路股份有限公司运广涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120955065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511467955.2，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其制造方法是由运广涛;张伟;马亚强;罗钦贤设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：结构层，结构层具有互连区域；叠层结构，位于结构层上，包括沿第一方向堆叠的间隔介质层和超低K介质层，第一方向为结构层的厚度方向；低K介质层，沿第一方向贯穿叠层结构；以及导电通道，沿第一方向贯穿低K介质层并与互连区域相连，其中，沿第二方向，间隔介质层的尺寸小于超低K介质层的尺寸构成凹陷，低K介质层填充在凹陷中构成凸起以使间隔介质层、超低K介质层以及低K介质层构成互锁结构，第二方向垂直于第一方向。该半导体结构通过让间隔介质层、超低K介质层和低K介质层形成凹凸状的互锁结构，从而提升了介质层的整体机械强度。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 结构层，所述结构层具有互连区域； 叠层结构，位于所述结构层上，包括沿第一方向堆叠的间隔介质层和超低K介质层，所述第一方向为所述结构层的厚度方向； 低K介质层，沿所述第一方向贯穿所述叠层结构；以及 导电通道，沿所述第一方向贯穿所述低K介质层并与所述互连区域相连， 其中，沿第二方向，所述间隔介质层的尺寸小于所述超低K介质层的尺寸构成凹陷，所述低K介质层填充在所述凹陷中构成凸起以使所述间隔介质层、所述超低K介质层以及所述低K介质层构成互锁结构， 所述第二方向垂直于所述第一方向。
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