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龙图腾网获悉苏州悉芯射频微电子有限公司申请的专利一种双通道射频低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120956225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511471306.X，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种双通道射频低噪声放大器是由卞乾奇;项勇;戈泽宇;陈浪;刘辉;唐玖虎;汪智斌设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双通道射频低噪声放大器在说明书摘要公布了：本申请涉及射频集成电路领域，具体涉及一种双通道射频低噪声放大器，包括：双通道TR开关、LNA信号通路、可控调谐电路以及过冲优化偏置电路，双通道TR开关包括耗尽型pHEMT管M1、耗尽型pHEMT管M2、耗尽型pHEMT管M3、耗尽型pHEMT管M4，形成第一输出端口TX和第二输出端口；第二输出端口同时连接可控调谐电路与LNA信号通路；VDD连接过冲优化偏置电路与逻辑电路，冲优化偏置电路连接逻辑电路，为可控调谐电路提供偏置电压，所述可控调谐电路改变第二输出端口输出到LNA信号通路的信号的阻抗。本申请可实现双通道传输功能，且通道具有阻抗一致、隔离度高、功率线性度好的特点。

本发明授权一种双通道射频低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种双通道射频低噪声放大器，其特征在于：包括双通道TR开关、LNA信号通路、可控调谐电路以及过冲优化偏置电路； 双通道TR开关包括射频通路，射频通路包含耗尽型pHEMT管M1、耗尽型pHEMT管M2、耗尽型pHEMT管M3、耗尽型pHEMT管M4，耗尽型pHEMT管M1的源极与耗尽型pHEMT管M2的源极连接，同时连接隔直电容C2的一端，隔直电容C2的另一端与第二天线连接；耗尽型pHEMT管M3的源极与耗尽型pHEMT管M4的源极连接，同时连接隔直电容C1的一端，隔直电容C1另一端与第一天线连接；耗尽型pHEMT管M1的漏极与耗尽型pHEMT管M3的漏极连接，同时连接隔直电容C3的一端，隔直电容C3的另一端与第一输出端口TX连接；耗尽型pHEMT管M2的漏极与耗尽型pHEMT管M4的漏极连接，形成双通道TR开关的第二输出端口；第一天线与第二天线分别连接隔离电感L2的一端与隔离电感L3的一端，隔离电感L2与隔离电感L3的另一端同时连接第一输出端口TX； 第二输出端口同时连接可控调谐电路与LNA信号通路；VDD连接过冲优化偏置电路与逻辑电路，冲优化偏置电路连接逻辑电路，为可控调谐电路提供偏置电压，所述可控调谐电路改变第二输出端口输出到LNA信号通路的信号的阻抗； 所述双通道TR开关还包括对地支路，对地支路包含耗尽型pHEMT管M5、耗尽型pHEMT管M6、耗尽型pHEMT管M7和耗尽型pHEMT管M8； 耗尽型pHEMT管M5、耗尽型pHEMT管M6、耗尽型pHEMT管M7和耗尽型pHEMT管M8的漏极分别经隔直电容C5、隔直电容C6、电容C7和隔直电容C8射频接地；耗尽型pHEMT管M5的源极连接隔直电容C3的一端，耗尽型pHEMT管M6的源极连接隔直电容C2的一端，耗尽型pHEMT管M7的源极连接第二输出端口，耗尽型pHEMT管M8的源极连接隔直电容C2的一端。

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