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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利三维霍尔元件及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511462837.2，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权三维霍尔元件及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备是由姜帅;孙恒超;杜君;李腾浩;方东明;臧志成;李佩笑;刘紫威;王蔓蓉;季润可;陶毅;周娴姊;李岩;王志强设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维霍尔元件及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种三维霍尔元件及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备。三维霍尔元件包括：衬底；第一掺杂区；在第一掺杂区中形成的电源激励电极、垂直霍尔电极和平面霍尔电极，电源激励电极具有沟槽电极结构，电源激励电极包括外围电源激励电极和中间电源激励电极，垂直霍尔电极和平面霍尔电极设置于外围电源激励电极和中间电源激励电极之间，垂直霍尔电极设置于经过中间电源激励电极且沿第一方向或第二方向延伸的直线上且位于中间电源激励电极的两侧；平面霍尔电极的连线与经过中间电源激励电极且沿第一方向或第二方向延伸的直线平行且不重合。由此提高了三维霍尔传感器性能以及芯片集成度。

本发明授权三维霍尔元件及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维霍尔元件，其特征在于，所述三维霍尔元件包括：衬底；第一掺杂区，在所述第一掺杂区中形成的电源激励电极、垂直霍尔电极和平面霍尔电极，所述电源激励电极用于为所述三维霍尔元件施加激励电流或激励电压，所述电源激励电极包括外围电源激励电极和中间电源激励电极；所述垂直霍尔电极用于检测平行于衬底表面的磁场方向所产生的霍尔电压，所述平行于衬底表面的磁场方向包括彼此垂直的第一方向和第二方向，所述垂直霍尔电极包括垂直霍尔正电极和垂直霍尔负电极；所述平面霍尔电极用于检测垂直于所述衬底表面的磁场方向所产生的霍尔电压，所述平面霍尔电极包括平面霍尔正电极和平面霍尔负电极；所述垂直霍尔电极和所述平面霍尔电极设置于所述外围电源激励电极和所述中间电源激励电极之间，其中： 所述电源激励电极具有沟槽电极结构，所述外围电源激励电极位于所述第一掺杂区外围；所述中间电源激励电极位于所述第一掺杂区中间； 所述垂直霍尔电极的垂直霍尔正电极和垂直霍尔负电极设置于经过所述中间电源激励电极且沿所述第一方向或所述第二方向延伸的直线上，并且位于所述中间电源激励电极的两侧； 所述平面霍尔电极的平面霍尔正电极和平面霍尔负电极的连线与经过所述中间电源激励电极且沿所述第一方向或所述第二方向延伸的直线平行且不重合。

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