合肥晶合集成电路股份有限公司游奕廷获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利伪栅形成方法及半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120980936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511486339.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权伪栅形成方法及半导体器件的形成方法是由游奕廷;林成芝设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本伪栅形成方法及半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了伪栅形成方法及半导体器件的形成方法，该伪栅形成方法包括：提供一衬底，衬底表面存在凹陷区域且衬底上形成有边界位于凹陷区域的用于构成伪栅的层叠结构；在衬底上形成保护层，保护层覆盖层叠结构的侧壁以及衬底的表面，且保护层在凹陷区域上方形成沟槽；在保护层上旋涂补偿材料并蚀刻旋涂的补偿材料直到露出沟槽外的保护层且沟槽内的补偿材料被保留；蚀刻保护层以及沟槽内的补偿材料，以在去除衬底表面的保护层后由覆盖层叠结构侧壁的保护层形成伪栅侧墙。本申请能够使得伪栅侧墙在衬底表面的凹陷区域也能形成基脚，从而有效保护伪栅底层结构。
本发明授权伪栅形成方法及半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种伪栅形成方法，包括： 提供一衬底，所述衬底表面存在凹陷区域且所述衬底上形成有边界位于所述凹陷区域的用于构成伪栅的层叠结构； 在所述衬底上形成保护层，所述保护层覆盖所述层叠结构的侧壁以及所述衬底的表面，且所述保护层在所述凹陷区域上方形成沟槽； 在所述保护层上旋涂补偿材料并蚀刻旋涂的补偿材料直到露出所述沟槽外的保护层且所述沟槽内的补偿材料被保留； 蚀刻所述保护层以及所述沟槽内的补偿材料，以在去除所述衬底表面的保护层后由覆盖所述层叠结构侧壁的保护层形成伪栅侧墙。
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