上海申仪时代科技有限公司张文俊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海申仪时代科技有限公司申请的专利IC去除装置及TOC分析系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223674392U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423221294.9，技术领域涉及：C02F1/44；该实用新型IC去除装置及TOC分析系统是由张文俊;夏德强设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本IC去除装置及TOC分析系统在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了IC去除装置及TOC分析系统，涉及TOC检测技术领域。该IC去除装置包括上壳体、下壳体以及选择透过膜。上壳体开设有第一凹槽且上壳体的两端设有第一固定件，第一凹槽用于容纳碳氧化物。下壳体开设有第二凹槽且下壳体的两端开设有固定槽，第二凹槽用于容纳样品流体，固定槽内设有第二固定件，上壳体与下壳体对合固定，第一固定件插入固定槽内并与第二固定件抵接，以使上壳体与下壳体可拆卸固定。选择透过膜设于上壳体和下壳体之间，选择透过膜用于供碳氧化物通过。
本实用新型IC去除装置及TOC分析系统在权利要求书中公布了：1.一种IC去除装置，其特征在于，包括： 上壳体，开设有第一凹槽且所述上壳体的两端设有第一固定件，所述第一凹槽用于容纳碳氧化物； 下壳体，开设有第二凹槽且所述下壳体的两端开设有固定槽，所述第二凹槽用于容纳样品流体，所述固定槽内设有第二固定件，所述上壳体与所述下壳体对合固定，所述第一固定件插入所述固定槽内并与所述第二固定件抵接，以使所述上壳体与所述下壳体可拆卸固定，并且所述第一凹槽和所述第二凹槽对位设置以形成气体析出空间； 选择透过膜，设于所述上壳体和所述下壳体之间，且所述选择透过膜的一部分位于所述气体析出空间以将所述第一凹槽与所述第二凹槽隔离，所述选择透过膜用于供所述碳氧化物通过。
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