芯恩(青岛)集成电路有限公司肖恩才获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利MOCVD装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223674800U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520133557.6,技术领域涉及:C30B25/16;该实用新型MOCVD装置是由肖恩才;于强设计研发完成,并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOCVD装置在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种MOCVD装置,包括反应腔室、样品台、升降机构、感应线圈及等离子体产生装置;样品台位于反应腔室内,且周边设有边缘环;升降机构与边缘环连接,可调节边缘环的上下位移;等离子体产生装置,用以产生纵向等离子体,感应线圈设置于边缘环内,进而提供磁场以调节等离子体中带电粒子的运动状态,增加带电粒子的水平分量,从而提高等离子体在晶圆中的侧壁处理效果,也降低了因垂直方向粒子能量高对底部的损伤;同时,感应线圈位置相对于晶圆水平面可发生相对运动,对应晶圆面内中间和边缘区域的磁感线方向发生变化,改变了晶圆中间和水平位置带电粒子的运动轨迹,进一步改善晶圆薄膜质量的均一性。
本实用新型MOCVD装置在权利要求书中公布了:1.一种MOCVD装置,其特征在于,所述MOCVD装置包括: 反应腔室; 样品台,所述样品台位于所述反应腔室内,且所述样品台周边设有边缘环; 升降机构,所述升降机构与所述边缘环连接,通过所述升降机构调节所述边缘环的上下位移; 感应线圈,所述感应线圈设置于所述边缘环内,通过所述感应线圈提供磁场以调节带电粒子的运动状态; 等离子体产生装置,所述等离子体产生装置包括射频电源和适配器,且所述适配器连接有喷头装置。
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