中环领先半导体科技股份有限公司高秦峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利多晶炉进气装置和多晶炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223674801U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423223593.6，技术领域涉及：C30B28/14；该实用新型多晶炉进气装置和多晶炉是由高秦峰;张峰;曹超伟;江润林;刘之远;朱兴栋;李金壮;王晖设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶炉进气装置和多晶炉在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种多晶炉进气装置和多晶炉，多晶炉进气装置应用于多晶炉，多晶炉包括具有一反应腔室的壳体，多晶炉进气装置包括：第一进气组件，包括：多个第一进气口，设置在壳体底部的侧面，第一进气口被构造成沿第一方向向反应腔室内输入工艺气体；第一进气管，与第一进气口连通，并沿反应腔室轴线方向向上延伸第一高度；第二进气组件，包括：多个第二进气口，设置在壳体底部的侧面，第二进气口被构造成沿第二方向向反应腔室内输入工艺气体，第二方向与第一方向呈一夹角；第二进气管，与第二进气口连通，并沿反应腔室轴线方向向上延伸第二高度，第二高度与第一高度不同。
本实用新型多晶炉进气装置和多晶炉在权利要求书中公布了：1.一种多晶炉进气装置，其特征在于，应用于多晶炉，所述多晶炉包括具有一反应腔室的壳体，所述多晶炉进气装置包括： 第一进气组件，包括： 多个第一进气口，设置在所述壳体底部的侧面，所述第一进气口被构造成沿第一方向向所述反应腔室内输入工艺气体； 第一进气管，与所述第一进气口连通，并沿所述反应腔室轴线方向向上延伸第一高度； 第二进气组件，包括： 多个第二进气口，设置在所述壳体底部的侧面，所述第二进气口被构造成沿第二方向向所述反应腔室内输入工艺气体，所述第二方向与所述第一方向呈一夹角； 第二进气管，与所述第二进气口连通，并沿所述反应腔室轴线方向向上延伸第二高度，所述第二高度与所述第一高度不同。
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