苏州清煜半导体科技有限公司陈鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州清煜半导体科技有限公司申请的专利一种碳化硅单晶生长用坩埚装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223674803U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520128489.4，技术领域涉及：C30B29/36；该实用新型一种碳化硅单晶生长用坩埚装置是由陈鹏飞;杨倩倩;苗浩伟设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅单晶生长用坩埚装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚装置，涉及碳化硅单晶生长技术领域。坩埚装置包括其内形成有用于放置碳化硅粉料的容纳腔的坩埚、位于坩埚顶部的籽晶和位于容纳腔内的石墨结构，石墨结构包括穿设于碳化硅粉料的竖直部和位于竖直部顶部的引流件，引流件设置成其侧壁围成自底部向上逐渐扩张的形状，其中，引流件的顶面与籽晶的宽度比为0.3‑0.8中任一值，竖直部与容纳腔的直径比为0.1‑0.4中任一值，且竖直部和引流件的表面涂覆有含钽涂层。本实用新型坩埚装置能够提高坩埚内的温度场分布均匀性、降低碳化硅单晶的生长位错密度，提高碳化硅单晶的生长质量。
本实用新型一种碳化硅单晶生长用坩埚装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶生长用坩埚装置，其特征在于，包括： 坩埚，其内形成有用于放置碳化硅粉料的容纳腔； 籽晶，位于坩埚顶部； 石墨结构，位于所述容纳腔内，所述石墨结构包括穿设于所述碳化硅粉料的竖直部和位于所述竖直部顶部的引流件，引流件设置成其侧壁围成自底部向上逐渐扩张的形状；其中， 所述引流件的顶面与所述籽晶的宽度比为0.3-0.8中任一值，所述竖直部与所述容纳腔的直径比为0.1-0.4中任一值，且所述竖直部和所述引流件的表面涂覆有含钽涂层。
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