矽迪半导体(苏州)有限公司刁章宇获国家专利权
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龙图腾网获悉矽迪半导体(苏州)有限公司申请的专利一种均流的功率模块封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223680122U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520286658.7,技术领域涉及:H01L23/498;该实用新型一种均流的功率模块封装结构是由刁章宇;李发宝设计研发完成,并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种均流的功率模块封装结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种均流的功率模块封装结构,涉及功率半导体领域,包括:覆铜陶瓷基板上焊接有多个功率单元,每个功率单元中包括多块并联的碳化硅MOS管;多块开尔文端子引出铜皮,设置在覆铜陶瓷基板的边缘,每块碳化硅MOS管对应一块开尔文端子引出铜皮并通过引线连接。有益效果是将ED3模块中的IGBT更换为碳化硅MOS管,每个碳化硅MOS管设置一个独立的开尔文端子引出铜皮进行连接,避免出现电流不均导致某些模块因承担过多电流而过载,确保电流应力和热应力的均匀分配,防止单个或多个碳化硅MOS管运行在电流极限状态,从而提高整个系统的稳定性和可靠性,通过均流,减少热应力,降低电子元器件的故障率延长其使用寿命。
本实用新型一种均流的功率模块封装结构在权利要求书中公布了:1.一种均流的功率模块封装结构,其特征在于,包括: 覆铜陶瓷基板,所述覆铜陶瓷基板上焊接有多个功率单元,每个功率单元中包括多块并联的碳化硅MOS管; 多块开尔文端子引出铜皮,设置在所述覆铜陶瓷基板的边缘,每块所述碳化硅MOS管对应一块所述开尔文端子引出铜皮并通过引线连接。
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