杰平方半导体(上海)有限公司周健获国家专利权
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龙图腾网获悉杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利一种新型异位触发SCR结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223681432U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422633674.7,技术领域涉及:H10D89/60;该实用新型一种新型异位触发SCR结构是由周健;王帅旗;张代中设计研发完成,并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型异位触发SCR结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种新型异位触发SCR结构,属于半导体器件技术领域,该新型异位触发SCR结构,包括第一导电类型基底;第一导电类型阱区,设置在第一导电类型基底中;第二导电类型阱区,设置在第一导电类型阱区的一侧;第一触发区,设置在第二导电类型阱区中;第二触发区,横跨第一导电类型基底和第一导电类型阱区的交界,第二触发区的底部还连接有深阱区,其中,第一触发区和第二触发区、深阱区均为第二导电类型,且第一触发区和第二触发区之间通过顶部的金属互连。通过增加互连的第一触发区和第二触发区将电流分为两部分,以控制器件触发点以及触发方向,改进了SCR器件的电压与电流特性,实现了该新型异位触发SCR结构更好的维持电压、失效电流特性。
本实用新型一种新型异位触发SCR结构在权利要求书中公布了:1.一种新型异位触发SCR结构,其特征在于,包括: 第一导电类型基底; 第一导电类型阱区,设置在所述第一导电类型基底中; 第二导电类型阱区,设置在所述第一导电类型阱区的一侧; 第一触发区,设置在所述第二导电类型阱区中; 第二触发区,横跨所述第一导电类型基底和所述第一导电类型阱区的交界,所述第二触发区的底部还连接有深阱区,其中,所述第一触发区和第二触发区、深阱区均为第二导电类型,且所述第一触发区和第二触发区之间通过顶部的金属互连。
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