意法半导体股份有限公司P·克雷马获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于半导体设备的裸片附接方法及对应的半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010562192.0，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权用于半导体设备的裸片附接方法及对应的半导体设备是由P·克雷马设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体设备的裸片附接方法及对应的半导体设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于半导体设备的裸片附接方法及对应的半导体设备。制造诸如集成电路的半导体设备，包括：提供具有裸片焊盘区域的引线框架；经由软焊料裸片附接材料，将一个或多个半导体裸片附接到引线框架的裸片焊盘区域上；以及通过将封装材料模制到附接到引线框架的裸片焊盘区域上的半导体裸片上来形成设备封装。经由激光束烧蚀，将被提供到引线框架上以抵消设备封装分层的增强层选择性地从裸片焊盘区域去除，并且经由被提供在增强层已被去除之处以提高软焊料材料的润湿性的软焊料裸片附接材料，将半导体裸片附接到裸片焊盘区域上。
本发明授权用于半导体设备的裸片附接方法及对应的半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体设备的方法，所述方法包括： 在引线框架的裸片焊盘区域和引线上形成增强层，所述增强层被配置成抵消设备封装分层，并且所述引线在所述裸片焊盘区域周围，其中所述增强层包括经处理的银； 从所述裸片焊盘区域去除所有的所述增强层，所述增强层保留在所述引线上； 在从所述裸片焊盘区域去除所有的所述增强层之后，经由软焊料裸片附接材料，将半导体裸片附接到所述裸片焊盘区域上；以及 通过将封装材料模制到附接到所述引线框架的所述裸片焊盘区域上的所述半导体裸片上来形成设备封装。
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