三星电子株式会社李炳训获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010707043.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件是由李炳训;朴钟昊;穆沙拉特·哈桑;金完敦;车承根设计研发完成，并于2020-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上或者位于所述衬底中的沟道；源极漏极对，分别位于所述沟道的相对端；以及栅极结构，所述栅极结构在所述沟道上位于所述源极漏极对之间，其中，所述栅极结构包括顺序地堆叠在所述沟道上的界面层、铁电层、稳定化层、氧扩散阻挡层和阈值电压控制层。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述衬底的所述第一区域上，所述第一栅极结构包括顺序地堆叠在所述衬底的所述第一区域上的第一界面层、第一铁电层、第一稳定化层、第一氧扩散阻挡层和第一阈值电压控制层；以及 第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述衬底的所述第二区域上，所述第二栅极结构包括顺序地堆叠在所述衬底的所述第二区域上的第二界面层、第二铁电层、第二稳定化层和第二阈值电压控制层，所述第二阈值电压控制层直接位于所述第二稳定化层上； 其中，所述第一稳定化层被配置为使所述第一铁电层的铁电相稳定，由此维持所述第一铁电层的铁电特性；并且 其中，所述第二稳定化层被配置为使所述第二铁电层的铁电相稳定，由此维持所述第二铁电层的铁电特性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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